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BD650分立半導體產(chǎn)品的二極管-整流器-陣列規(guī)格書PDF中文資料

BD650
廠商型號

BD650

參數(shù)屬性

BD650 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的二極管-整流器-陣列;產(chǎn)品描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER R

功能描述

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

108.13 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-6 11:24:00

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晶體管資料

  • 型號:

    BD650

  • 別名:

    BD650三極管、BD650晶體管、BD650晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    100V

  • 最大電流允許值:

    8A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BD702,BD902,BDW74C,BDX34C,BDX54C,FC50B,

  • 最大耗散功率:

    62.5W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    B-10

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    8

  • wtest:

    62.5

BD650規(guī)格書詳情

Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO = -100V(Min)

·High DC Current Gain : hFE= 750(Min) @IC= -3A

·Low Saturation Voltage

·Complement to Type BD649

APPLICATIONS

·Designed for use as complementary AF push-pull output stage applications

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BD650CS_S2_00001

  • 制造商:

    Panjit International Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 陣列

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 二極管配置:

    1 對共陰極

  • 二極管類型:

    肖特基

  • 電流 - 平均整流 (Io)(每二極管):

    6A

  • 速度:

    快速恢復 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 工作溫度 - 結(jié):

    -65°C ~ 175°C

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-252

  • 描述:

    SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER R

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST/意法
23+
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優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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