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PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERHIGHGAINTRANSISTOR FEATURES *Lowequivalenton-resistance;RCE(sat)93m?at3A *Gainof300atIC=2AmpsandVerylowsaturationvoltage APPLICATIONS *Batterypoweredcircuits | Zetex Zetex Semiconductors | Zetex | ||
SOT223PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERHIGHGAINTRANSISTOR FEATURES *Lowequivalenton-resistance;RCE(sat)93m?at3A *Gainof300atIC=2AmpsandVerylowsaturationvoltage APPLICATIONS *Batterypoweredcircuits | Zetex Zetex Semiconductors | Zetex | ||
PNPSiliconPlanarMediumPowerHighGainTransistor Features ●Lowequivalenton-resistance;RCE(sat)93mùat3A. ●Gainof300atIC=2AmpsandVerylowsaturationvoltage. | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司 | KEXIN | ||
SOT223PNPSILICONPLANARMEDIUM Features ?BVCEO>-15V ?BVCBO>-15V ?IC=-3AHighContinuousCurrent ?hFE>300@-2AandLowSaturationVoltage ?ExtremelyLowEquivalentOn-ResistanceRCE(sat)93mΩat-3A ?ComplementaryNPNType:FZT688B ?Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimony | DIODES Diodes Incorporated | DIODES | ||
PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERHIGHGAINTRANSISTOR FEATURES *Lowequivalenton-resistance;RCE(sat)93m?at3A *Gainof300atIC=2AmpsandVerylowsaturationvoltage APPLICATIONS *Batterypoweredcircuits | Zetex Zetex Semiconductors | Zetex | ||
15VPNPMEDIUMPOWERHIGHGAINTRANSISTOR | DIODES Diodes Incorporated | DIODES | ||
SOT223PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERHIGHGAINTRANSISTOR Features ?BVCEO>-15V ?BVCBO>-15V ?IC=-3AHighContinuousCurrent ?hFE>300@-2AandLowSaturationVoltage ?ExtremelyLowEquivalentOn-ResistanceRCE(sat)93mΩat-3A ?ComplementaryNPNType:FZT688B ?Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimony | DIODES Diodes Incorporated | DIODES | ||
15VPNPMEDIUMPOWERHIGHGAINTRANSISTOR | DIODES Diodes Incorporated | DIODES | ||
RemoteandLocalTemperatureSensorwithSMBusSerialInterface Features TwoChannels:MeasuresBothRemoteand LocalTemperatures NoCalibrationRequired Built-inNoise-BusterforRemoteSensor SMBus2-WireSerialInterface ProgrammableUnder/OvertemperatureAlarms SupportsSMBusAlertResponse Accuracy: ±1°C(-10°Cto+80°C,remote) ±3°C(-4 | GMTGlobal Mixed-mode Technology Inc 致新科技 | GMT | ||
IsolationAmplifierwithShortCircuitandOverloadDetection | HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷倫科技安捷倫科技有限公司 | HP |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
80V
- 最大電流允許值：
4A
- 最大工作頻率：
>50MHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
BD190,BD200,MJE250,MJE251,MJE252,MJE253,MJE254,3CA8C,
- 最大耗散功率：
15W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
B-21
- vtest：
80
- htest：
50000100
- atest：
4
- wtest：
15
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
BD788
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
PNP
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
2.5V @ 800mA，4A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
100μA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 200mA，3V
- 頻率 - 躍遷：
50MHz
- 工作溫度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-225AA，TO-126-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-126
- 描述：
TRANS PNP 60V 4A TO126
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOT |
2021+ |
TO-126 |
6800 |
原廠原裝,歡迎咨詢 |
詢價 | ||
MOT(仁懋) |
2023+ |
N/A |
4550 |
全新原裝正品 |
詢價 | ||
MOT |
24+ |
TO-126 |
86645 |
詢價 | |||
MOT |
9727+ |
TO-126 |
1000 |
原裝 |
詢價 | ||
MOT |
23+ |
TO-126 |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價 | ||
MOT |
23+ |
原廠原裝 |
31000 |
全新原裝 |
詢價 | ||
ON |
16+ |
T0-126 |
10000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
PHI |
1738+ |
TO-126 |
8529 |
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十! |
詢價 | ||
NXP/恩智浦 |
23+ |
TO-126 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-126 |
6000 |
十年配單,只做原裝 |
詢價 |
