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BU806

MEDIUMVOLTAGENPNFASTSWITCHINGDARLINGTONTRANSISTORS

DESCRIPTION ThedevicesaresiliconEpitaxialPlanarNPNpowertransistorsinDarlingtonconfigurationwithintegratedbase-emitterspeed-updiode,mountedinTO-220plasticpackage. Theycanbeusedinhorizontaloutputstagesof110oCRTvideodisplays. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALESTYP

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

BU806

8.0AMPEREDARLINGTONNPNPOWERTRANSISTORS60WATTS200VOLTS

ThisDarlingtontransistorisahighvoltage,highspeeddeviceforuseinhorizontaldeflectioncircuitsinTV’sandCRT’s. ?HighVoltage:VCEV=330or400V ?FastSwitchingSpeed: tc=1.0μs(max) ?LowSaturationVoltage: VCE(sat)=1.5V(max) ?PackagedinJEDECTO–220AB ?Da

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

BU806

POWERTRANSISTORS(8.0A,150-200V,60W)

MOSPECMospec Semiconductor

統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司

BU806

FASTSWITCHINGDARLINGTONTRANSISTOR

bocaBoca Semiconductor Corporation

博卡博卡半導(dǎo)體公司

BU806

HighVoltage&FastSwitchingDarlingtonTransistor

HighVoltage&FastSwitchingDarlingtonTransistor ?UsingInHorizontalOutputStagesof110°CrtVideoDisplays ?BUILT-INSPEED-UPDiodeBetweenBaseandEmitter

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

BU806

iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION ?HighVoltage:VCEV=400V(Min) ?LowSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=5A APPLICATIONS ?DesignedforuseinhorizontaldeflectioncircuitsinTV’sand CRT’s.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BU806

MEDIUMVoltage&FastSwitchingDarlingtonTransistor

DESCRIPTION ThedevicesaresiliconEpitaxialPlanarNPNpowertransistorsinDarlingtonconfigurationwithintegratedbase-emitterspeed-updiode,mountedinTO-220plasticpackage. Theycanbeusedinhorizontaloutputstagesof110oCRTvideodisplays.

TGS

Tiger Electronic Co.,Ltd

BU806

NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTOR

DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORBU806andBU807typesareNPNSiliconDarlingtonTransistorsdesignedforhighvoltage,highcurrent,fastswitchingapplications.

CentralCentral Semiconductor Corp

美國(guó)中央半導(dǎo)體

BU806

SiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION ?HighVoltage:VCEV=400V(Min) ?LowSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=5A APPLICATIONS ?DesignedforuseinhorizontaldeflectioncircuitsinTV’sand CRT’s.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

BU806

NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORv

CentralCentral Semiconductor Corp

美國(guó)中央半導(dǎo)體

晶體管資料

  • 型號(hào):

    BD806

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    55V

  • 最大電流允許值:

    10A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    BD546A,BD706,3CD100B,

  • 最大耗散功率:

    90W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    B-10

  • vtest:

    55

  • htest:

    999900

  • atest:

    10

  • wtest:

    90

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    BD806

  • 功能描述:

    TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-220AB

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多BD806供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-24 10:20:00