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BLV830

N-channelEnhancementModePowerMOSFET

ESTEKEstek Electronics Co. Ltd

伊泰克電子北京伊泰克電子有限公司

BPW-830C

300WDC-DCATXpowersupplyInputRange:19~32VDC

BOSER

BOSER Technology Co., Ltd

BPW-830V

300WDC-DCATXpowersupplyInputRange:-40~-72VDC

BOSER

BOSER Technology Co., Ltd

BT830

Dual-ModeUARTHCIModule

LSTD

Laird Tech Smart Technology

BT830-SA

Dual-ModeUARTHCIModule

LSTD

Laird Tech Smart Technology

BT830-ST

Dual-ModeUARTHCIModule

LSTD

Laird Tech Smart Technology

BX-830

BOX-PCWideTemperature,AtomE3845,Fanless

ContecContec Co., Ltd.

康泰克株式會社康泰克

C830

PTCthermistorsforovercurrentprotection

EPCOSepcos

愛普科斯

CAPA830

1DDR3SO-DIMMsupportsupto4GBmemorycapacity

AXIOMTEKAxiomtek Co., Ltd.

艾訊科技艾訊股份有限公司

CAPA830

ZIOconnector

AXIOMTEKAxiomtek Co., Ltd.

艾訊科技艾訊股份有限公司

CDBG830-G

SMDSchottkyBarrierDiode

ReverseVoltage:20~60Volts ForwardCurrent:8A Features: ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-OUtilizingFlame RetardantEpoxyMoldingCompound. ?Forsurfacemountedapplications. ?ExceedsenviromentalstandardsofMIL-S-19500/228 ?Lo

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

CEB830G

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEB830G

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CED830A

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 500V,4.1A,RDS(ON)=1.8W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Lead-freeplating;RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CED830G

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■500V,4.5A,RDS(ON)=1.5Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CED830G

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 500V,4.5A,RDS(ON)=1.5W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEF830G

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEF830G

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEM830

8USB2.0ports

AXIOMTEKAxiomtek Co., Ltd.

艾訊科技艾訊股份有限公司

CEP830G

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    BD830(-6...-25)

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    100V

  • 最大電流允許值：

    1A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    BD140,BD844,3CF1A,

  • 最大耗散功率：

    8W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    B-84

  • vtest：

    100

  • htest：

    999900

  • atest：

    1

  • wtest：

    8

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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