BDV65B分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
BDV65B |
| 參數(shù)屬性 | BDV65B 封裝/外殼為TO-218-3；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 100V 12A TO218 |
| 功能描述 | Complementary Silicon Plastic Power Darlingtons |
| 封裝外殼 | TO-218-3 |
| 文件大小 |
110.06 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
6 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Motorola, Inc |
| 企業(yè)簡稱 |
Motorola【摩托羅拉】 |
| 中文名稱 | 加爾文制造公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-27 10:20:00 |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
BDV65B三極管、BDV65B晶體管、BDV65B晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-N+Darl+Di
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
100V
- 最大電流允許值：
12A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
BDV67B,BDW83C,FH9D,
- 最大耗散功率：
125W
- 放大倍數(shù)：
β>1000
- 圖片代號(hào)：
B-62
- vtest：
100
- htest：
999900
- atest：
12
- wtest：
125
BDV65B規(guī)格書詳情
Complementary Silicon Plastic Power Darlingtons
. . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications.
Features
? High DC Current Gain
HFE = 1000 (min) @ 5 Adc
? Monolithic Construction with Built?in Base Emitter Shunt Resistors
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
BDV65B
- 制造商：
Central Semiconductor Corp
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 5A，4V
- 頻率 - 躍遷：
60MHz
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-218-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-218
- 描述：
TRANS NPN 100V 12A TO218
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-3PN |
10000 |
全新 |
詢價(jià) | |||
ON Semiconductor |
2010+ |
N/A |
459 |
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詢價(jià) | ||
MOT |
589220 |
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23+ |
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原廠封裝 |
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ON/安森美 |
23+ |
TO-3P |
10000 |
公司只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||
BNS |
1535+ |
2985 |
詢價(jià) | ||||
ON/安森美 |
22+ |
TO-3P |
6000 |
十年配單,只做原裝 |
詢價(jià) | ||
23+ |
20000 |
正品原裝貨價(jià)格低 |
詢價(jià) |
