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BDV65B分立半導體產(chǎn)品晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

BDV65B
廠商型號

BDV65B

參數(shù)屬性

BDV65B 封裝/外殼為TO-218-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 100V 10A SOT93

功能描述

DARLINGTONS 10 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
TRANS NPN DARL 100V 10A SOT93

文件大小

105.38 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊到原廠下載

更新時間

2024-10-24 17:36:00

晶體管資料

  • 型號:

    BDV65B

  • 別名:

    BDV65B三極管、BDV65B晶體管、BDV65B晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    100V

  • 最大電流允許值:

    12A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BDV67B,BDW83C,FH9D,

  • 最大耗散功率:

    125W

  • 放大倍數(shù):

    β>1000

  • 圖片代號:

    B-62

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    12

  • wtest:

    125

BDV65B規(guī)格書詳情

Complementary Silicon Plastic Power Darlingtons

. . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications.

Features

? High DC Current Gain ? HFE = 1000 (min) @ 5 Adc

? Monolithic Construction with Built?in Base Emitter Shunt Resistors

? These are Pb?Free Devices*

BDV65B屬于分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個。安森美半導體公司制造生產(chǎn)的BDV65B晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BDV65B

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    2V @ 20mA,5A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1mA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 5A,4V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-218-3

  • 供應商器件封裝:

    SOT-93

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 10A SOT93

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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