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BDX34C分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

BDX34C
廠商型號(hào)

BDX34C

參數(shù)屬性

BDX34C 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP DARL 100V 10A TO220

功能描述

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

327.73 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Comset Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

COMSET

中文名稱

Comset Semiconductor官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-1-12 23:00:00

晶體管資料

  • 型號(hào):

    BDX34C

  • 別名:

    BDX34C三極管、BDX34C晶體管、BDX34C晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    100V

  • 最大電流允許值:

    10A

  • 最大工作頻率:

    >20MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    BD266B,BD650,BD702,BDT62B,BDT64B,BDW94C,FC75B,

  • 最大耗散功率:

    70W

  • 放大倍數(shù):

    β>750

  • 圖片代號(hào):

    B-10

  • vtest:

    100

  • htest:

    20000100

  • atest:

    10

  • wtest:

    70

BDX34C規(guī)格書詳情

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

The BDX33B, BDX33B and BDX33C are silicon epitaxial-base NPN power transistors in monolithic Darlington configuration and are mounted in Jedec TO-220 plastic package.

They are intented for use in power linear and switching applications.

The complementary PNP types are the BDX34A, BDX34B and BDX34C respectively.

Compliance to RoHS.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BDX34C

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    2.5V @ 6mA,3A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 3A,3V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 100V 10A TO220

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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