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N-channel dual-gate MOS-FETs DESCRIPTION EnhancementtypeN-channelfield-effecttransistorwithsourceandsubstrateinterconnected.Integrateddiodesbetweengatesandsourceprotectagainstexcessiveinputvoltagesurges.TheBF1212,BF1212RandBF1212WRareencapsulatedintheSOT143B,SOT143RandSOT343Rplasticpackage | PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦 | Philips | ||
RF Manual 16th edition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司 | nxp | ||
RF Manual 16th edition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司 | nxp | ||
RF Manual 16th edition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司 | nxp | ||
RF Manual 16th edition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司 | nxp | ||
Marking：VA；N-channel dual gate MOSFET Productprofile 1.1Generaldescription EnhancementtypeN-channelfield-effecttransistorwithsourceandsubstrate interconnected.Integrateddiodesbetweengatesandsourceprotectagainstexcessive inputvoltagesurges.TheBF1217WRisencapsulatedintheSOT343Rplasticpackage. 1.2Fe | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司 | nxp | ||
RF Manual 16th edition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司 | nxp | ||
230V IP44 14W BF LED Bulkhead 300mm 1020lm 6000K DESCRIPTION230VIP4414WBFLEDBulkhead300mm1020lm6000K | KNIGHTSBRIDGE ML Accessories Limited. | KNIGHTSBRIDGE | ||
230V IP44 14W BF LED Emergency Bulkhead 300mm 1020lm 6000K DESCRIPTION 230VIP4414WBFLEDEmergencyBulkhead300mm1020lm 6000K | KNIGHTSBRIDGE ML Accessories Limited. | KNIGHTSBRIDGE | ||
230V IP44 14W BF LED Bulkhead with Sensor 300mm 1020lm 6000K DESCRIPTION 230VIP4414WBFLEDBulkheadwithSensor300mm1020lm 6000K | KNIGHTSBRIDGE ML Accessories Limited. | KNIGHTSBRIDGE |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質：
電視 （TV）_中頻放大 （ZF）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
- 最大電流允許值：
- 最大工作頻率：
550MHZ
- 引腳數：
3
- 可代換的型號：
BF224,BF311,BF373,BF597,3DG122C,3DG4302,
- 最大耗散功率：
- 放大倍數：
- 圖片代號：
A-33
- vtest：
0
- htest：
550000000
- atest：
0
- wtest：
0
產品屬性
- 產品編號：
BF199
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
25V
- 頻率 - 躍遷：
1.1GHz
- 功率 - 最大值：
350mW
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
38 @ 7mA，10V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
50mA
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）
- 供應商器件封裝：
TO-92-3
- 描述：
RF TRANS NPN 25V 1.1GHZ TO92-3
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
24+ |
TO-92 |
6000 |
詢價 | |||
NATIONAL |
24+/25+ |
68 |
原裝正品現貨庫存價優(yōu) |
詢價 | |||
PHILIPS |
24+ |
TO-92 |
5000 |
原裝現貨假一罰十 |
詢價 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
NA |
19960 |
只做進口原裝,終端工廠免費送樣 |
詢價 | ||
Fairchild |
16+ |
原廠封裝 |
10000 |
全新原裝正品,代理優(yōu)勢渠道供應,歡迎來電咨詢 |
詢價 | ||
PHILIPS |
18+ |
TO92 |
85600 |
保證進口原裝可開17%增值稅發(fā)票 |
詢價 | ||
NXP |
1822+ |
TO-92 |
6852 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風險!! |
詢價 | ||
FAIR |
23+ |
65480 |
詢價 | ||||
NXP |
24+ |
TO-92 |
65200 |
一級代理/放心采購 |
詢價 | ||
24+ |
TO-92 |
6430 |
原裝現貨/歡迎來電咨詢 |
詢價 |
