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BF1201

N-channel dual-gate PoLo MOS-FETs

DESCRIPTION EnhancementtypeN-channelfield-effecttransistorwithsourceandsubstrateinterconnected.Integrateddiodesbetweengatesandsourceprotectagainstexcessiveinputvoltagesurges.TheBF1201,BF1201RandBF1201WRareencapsulatedintheSOT143B,SOT143RandSOT343Rplasticpackage

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BF1201

RF Manual 16th edition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BF1201R

N-channel dual-gate PoLo MOS-FETs

DESCRIPTION EnhancementtypeN-channelfield-effecttransistorwithsourceandsubstrateinterconnected.Integrateddiodesbetweengatesandsourceprotectagainstexcessiveinputvoltagesurges.TheBF1201,BF1201RandBF1201WRareencapsulatedintheSOT143B,SOT143RandSOT343Rplasticpackage

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BF1201R

RF Manual 16th edition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BF1201WR

N-channel dual-gate PoLo MOS-FETs

DESCRIPTION EnhancementtypeN-channelfield-effecttransistorwithsourceandsubstrateinterconnected.Integrateddiodesbetweengatesandsourceprotectagainstexcessiveinputvoltagesurges.TheBF1201,BF1201RandBF1201WRareencapsulatedintheSOT143B,SOT143RandSOT343Rplasticpackage

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BF1201WR

RF Manual 16th edition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BF1201_15

N-channel dual-gate PoLo MOS-FETs

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

錦美電子泉州錦美電子有限公司

BF1201_2015

N-channel dual-gate PoLo MOS-FETs

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

錦美電子泉州錦美電子有限公司

BF1201R,215

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：SOT-143R 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143R

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

BF1201WR,115

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：SC-82A，SOT-343 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

BF1201WR,135

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：SC-82A，SOT-343 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    BF1201

  • 制造商：

    PHILIPS

  • 制造商全稱(chēng)：

    NXP Semiconductors

  • 功能描述：

    N-channel dual-gate PoLo MOS-FETs

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
NXP
2020+
SOT-143
80000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增
 詢(xún)價(jià)
PHILIPS
24+
35200
一級(jí)代理/放心采購(gòu)
 詢(xún)價(jià)
NEXPERIA
21+
SOT143B
6685
原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢(xún)價(jià)
NXP/恩智浦
1535+
14688
詢(xún)價(jià)
BYD
22+
SOT-343
9800
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!
 詢(xún)價(jià)
PHI
/
50
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢(xún)價(jià)
NXP/恩智浦
24+
SOT143B
5070
全新原裝,價(jià)格優(yōu)勢(shì),原廠原包
 詢(xún)價(jià)
NXP/恩智浦
22+
SOT143
30000
十七年VIP會(huì)員,誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)，一手貨源，原裝正品可零售！
 詢(xún)價(jià)
PHILIPS
22+
NA
9000
原裝現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
NEXPERIA
589220
16余年資質(zhì) 絕對(duì)原盒原盤(pán) 更多數(shù)量
 詢(xún)價(jià)
更多BF1201供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-10 22:30:00

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