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HighCurrentToroidalInductors | API API Delevan | API | ||
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RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Description TheIntersilHCTS374MSisaRadiationHardenednon-invertingoctalD-type,positiveedgetriggeredflip-flopwiththree-stateableoutputs.Theeightflip-flopsenterdataintotheirregistersontheLOW-to-HIGHtransitionoftheclock(CP).Dataisalsotransferredtotheoutputsduri | Intersil Intersil Corporation | Intersil | ||
RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Features ?3MicronRadiationHardenedSOSCMOS ?TotalDose200KRAD(Si) ?SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg ?SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s ?DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse ?Lat | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Description TheIntersilHCTS374MSisaRadiationHardenednon-invertingoctalD-type,positiveedgetriggeredflip-flopwiththree-stateableoutputs.Theeightflip-flopsenterdataintotheirregistersontheLOW-to-HIGHtransitionoftheclock(CP).Dataisalsotransferredtotheoutputsduri | Intersil Intersil Corporation | Intersil | ||
RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Features ?3MicronRadiationHardenedSOSCMOS ?TotalDose200KRAD(Si) ?SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg ?SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s ?DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse ?Lat | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Intersil’sSatelliteApplicationsFlowTM(SAF)devicesarefullytestedandguaranteedto100kRADtotaldose.TheseQMLClassTdevicesareprocessedtoastandardflowintendedtomeetthecostandshorterlead-time | Intersil Intersil Corporation | Intersil | ||
RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Description TheIntersilHCTS374MSisaRadiationHardenednon-invertingoctalD-type,positiveedgetriggeredflip-flopwiththree-stateableoutputs.Theeightflip-flopsenterdataintotheirregistersontheLOW-to-HIGHtransitionoftheclock(CP).Dataisalsotransferredtotheoutputsduri | Intersil Intersil Corporation | Intersil | ||
RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Features ?3MicronRadiationHardenedSOSCMOS ?TotalDose200KRAD(Si) ?SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg ?SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s ?DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse ?Lat | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
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晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
調(diào)頻 （FM）_甚高頻 （VHF）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
30V
- 最大電流允許值：
0.1A
- 最大工作頻率：
>400MHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
BF199,BF224,BF225,BF311,BF314,BF373,BF496,BF502,BF503,3DG122A,
- 最大耗散功率：
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
A-21
- vtest：
30
- htest：
400000100
- atest：
0.1
- wtest：
0
詳細(xì)參數(shù)
- 型號：
BF374
- 功能描述：
TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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