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BF420-AP	文件：63.57 Kbytes Page：5 Pages	SMALLSIGNALNPNTRANSISTOR ■SILICONEPITAXIALPLANARNPNHIGHVOLTAGETRANSISTOR ■TO-92PACKAGESUITABLEFORTHROUGH-HOLEPCBASSEMBLY ■THEPNPCOMPLEMENTARYTYPEISBF421 APPLICATIONS ■VIDEOAMPLIFIERCIRCUITS(RGBCATHODECURRENTCONTROL) ■TELEPHONEWIRELINEINTERFACE(HOOKSWITCHES,DIALERCIRCUITS)	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
BFP420	文件：50.27 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconRFTransistor(ForhighgainlownoiseamplifiersForoscillatorsupto10GHz) NPNSiliconRFTransistor ?Forhighgainlownoiseamplifiers ?Foroscillatorsupto10GHz ?NoisefigureF=1.05dBat1.8GHzoutstandingGms=20dBat1.8GHz ?TransitionfrequencyfT=25GHz ?Goldmetalizationforhighreliability ?SIEGET?25-Line SiemensGroundedEmitter	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BFP420	文件：74.44 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forhighgainandlownoiseamplifiers ?MinimumnoisefigureNFmin=1.1dBat1.8GHzOutstandingGms=21dBat1.8GHz ?Foroscillatorsupto10GHz ?TransitionfrequencyfT=25GHz ?Pb-free(RoHScompliant)andhalogen-freepackagewithvisib	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP420	文件：567.85 Kbytes Page：9 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP420F	文件：49.77 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconRFTransistor ProductBrief TheBFP420FisalownoisewidebandNPNbipolarRFtransistor.ThecollectordesignsupportsvoltagesuptoVCEO=4.5VandcurrentsuptoIC=60mA.Thedeviceisespeciallysuitedformobileapplicationsinwhichlowpowerconsumptionisakeyrequirement.Thetypicaltransition	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP420F	文件：63.27 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP420F	文件：1.54555 Mbytes Page：30 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP420W	文件：245.03 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION ?HighPowerGain ?HighCurrentGainBandwidthProduct ?LowNoiseFigure ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ?DesignedforuseinRFwidebandamplifiersandoscillators.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BFV420	文件：41.86 Kbytes Page：8 Pages	NPNhigh-voltagetransistor DESCRIPTION NPNhigh-voltagetransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage.PNPcomplement:BFV421. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Highvoltage(max.100V). APPLICATIONS ?Primarilyintendedforvideoapplications(monitors).	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BFY420	文件：406.72 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?ForHighGainLowNoiseAmplifiers ?ForOscillatorsupto10GHz ?NoiseFigureF=1.1dBat1.8GHz OutstandingGms=21dBat1.8GHz ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?TransitionFrequencyfT=22G	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY420	文件：145.91 Kbytes Page：4 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY420ES	文件：406.72 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?ForHighGainLowNoiseAmplifiers ?ForOscillatorsupto10GHz ?NoiseFigureF=1.1dBat1.8GHz OutstandingGms=21dBat1.8GHz ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?TransitionFrequencyfT=22G	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY420H	文件：406.72 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?ForHighGainLowNoiseAmplifiers ?ForOscillatorsupto10GHz ?NoiseFigureF=1.1dBat1.8GHz OutstandingGms=21dBat1.8GHz ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?TransitionFrequencyfT=22G	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY420P	文件：406.72 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?ForHighGainLowNoiseAmplifiers ?ForOscillatorsupto10GHz ?NoiseFigureF=1.1dBat1.8GHz OutstandingGms=21dBat1.8GHz ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?TransitionFrequencyfT=22G	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY420S	文件：406.72 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?ForHighGainLowNoiseAmplifiers ?ForOscillatorsupto10GHz ?NoiseFigureF=1.1dBat1.8GHz OutstandingGms=21dBat1.8GHz ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?TransitionFrequencyfT=22G	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BGA420	文件：38.08 Kbytes Page：6 Pages	Si-MMIC-AmplifierinSIEGET25-Technologie(Cascadable50廓-gainblockUnconditionallystable) Si-MMIC-AmplifierinSIEGET?25-Technologie Preliminarydata ?Cascadable50?-gainblock ?Unconditionallystable ?Gain\|S21\|2=13dBat1.8GHzIP3out=+9dBmat1.8GHz(VD=3V,ID=typ.6.4mA) ?NoisefigureNF=2.2dBat1.8GHz ?Reverseisolation>28dBandreturnlossIN/O	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BGA420	文件：139.2 Kbytes Page：6 Pages	Si-MMIC-AmplifierinSIEGET25-Technologie Si-MMIC-AmplifierinSIEGET?25-Technologie ?Cascadable50?-gainblock ?Unconditionallystable ?Gain\|S21\|2=13dBat1.8GHzIP3out=+13dBmat1.8GHz(VD=3V,ID=typ.6.7mA) ?NoisefigureNF=2.2dBat1.8GHz ?Reverseisolation>28dBandreturnlossIN/OUT>12dBat1.8	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BGA420	文件：166.12 Kbytes Page：8 Pages	Si-MMIC-AmplifierinSIEGET25-Technologie	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BGB420	文件：477.63 Kbytes Page：10 Pages	ActiveBiasedTransistor Description SIEGET?-25NPNTransistorwithintegratedbiasingforhighgainlownoisefigureapplications.ICcanbecontrolledusingIBiasaccordingtoIC=10*IBias. Features ?Forhighgainlownoiseamplifiers ?Idealforwidebandapplications,cellulartelephones, cordlesstelephones,	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BGC420	文件：101.49 Kbytes Page：11 Pages	Self-BiasedBFP420	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
BF420 T/R
功能描述：
兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE RADIAL
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
VEBO：
- 6 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
100 A
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市弘為電子有限公司	BF420112	PHS	16+	原廠封裝	17000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳芯力源電子科技有限公司	BF420112	IR	23+	原廠封裝	5177	現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	BF420112	NXP USA Inc.	24+	TO-226-3 TO-92-3(TO-226AA)	9350	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠心經(jīng)營免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	BF420A3	CYSTEKEC	23+	原廠原包	19960	只做進(jìn)口原裝終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
上海市鑫鴻達(dá)電子	BF420-AP	STMicroel	2022+		18000	全新原裝貨期兩周	詢價(jià)
深圳市易訊博科技有限公司	BF420-AP		22+	NA	3000	加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	BF420-AP	ST/意法	23+	TO-92	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳廊盛科技有限公司	BF420-AP	ST/意法	2022	TO-92	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價(jià)
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貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	BF420-AP	ST/意法	23+	TO-92	5000	原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道?？商峁┐罅繋齑?詳	詢價(jià)

更多BF420 T/R供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-24 8:00:00

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