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Directpintopindrop-inreplacementforindustry-standardpackages | ILSI ILSI America LLC | ILSI | ||
Directpintopindrop-inreplacementforindustry-standardpackages | ILSI ILSI America LLC | ILSI | ||
N-ChannelPowerMOSFETs,8A,450V/500V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedsepeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司 | Fairchild | ||
N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ?LowerRDS(ON) ?Improvedinductiveruggedness ?Fastswitchingtimes ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowerinputcapacitance ?Extendedsafeoperationarea ?Improvedhightemperaturereliability | SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體 | Samsung | ||
N-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATETMOSPOWERFIELDEFFECTTRANSISTOR
| MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司 | Motorola | ||
TRANSISTORSN-CHANNEL REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED HEXFET?TRANSISTORSN-CHANNEL | IRF International Rectifier | IRF | ||
N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS
| STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán) | STMICROELECTRONICS | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?RuggedGateOxideTechnology | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
N-ChannelPowerMOSFETs Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. ●VGSRatedat±20V ●SiliconGateforFastSwitchingSpe | ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED. | ARTSCHIP | ||
N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS
| STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán) | STMICROELECTRONICS |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
表面帖裝型 （SMD）
- 封裝形式：
貼片封裝
- 極限工作電壓：
30V
- 最大電流允許值：
0.1A
- 最大工作頻率：
125MHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
BF554,BFS18,BFS19,
- 最大耗散功率：
0.3W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
H-15
- vtest：
30
- htest：
125000000
- atest：
0.1
- wtest：
0.3
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
BF841
- 制造商：
INFINEON
- 制造商全稱：
Infineon Technologies AG
- 功能描述：
NPN Silicon RF Transistors(Suitable for common emitter RF, IF amplifiers Low collector-base capacitance due to contact shield diffusion)
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP |
19+ |
SOT-23 |
66041 |
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠； |
詢價(jià) | ||
SOT-23 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百! |
詢價(jià) | ||
PHILIPS |
24+ |
35200 |
一級(jí)代理/放心采購(gòu) |
詢價(jià) | |||
NEXPERIA/安世 |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
NXP/恩智浦 |
23+ |
SOT-23 |
77815 |
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道。可提供大量庫(kù)存,詳 |
詢價(jià) | ||
PHILIPS/飛利浦 |
11+ |
SOT-23 |
1000 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠萬(wàn)力挺實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
NXP |
2023+ |
SOT-23 |
5800 |
進(jìn)口原裝,現(xiàn)貨熱賣 |
詢價(jià) | ||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
NA/ |
790000 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票 |
詢價(jià) | ||
NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT-23 |
20000 |
原裝現(xiàn)貨,實(shí)單支持 |
詢價(jià) | ||
PHILIPS |
2023+ |
SMD |
1492 |
安羅世紀(jì)電子只做原裝正品貨 |
詢價(jià) |
