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BF998R	文件：93.08 Kbytes Page：9 Pages	SiliconN_ChannelMOSFETTetrode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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BF998R	文件：249.05 Kbytes Page：6 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode SiliconN_ChannelMOSFETTetrode ?Short-channeltransistorwithhighS/Cqualityfactor ?Forlow-noise,gain-controlledinputstageupto1GHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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BF998R	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
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BF998WR	文件：94.6 Kbytes Page：12 Pages	N-channeldual-gateMOS-FET DESCRIPTION Depletiontypefield-effecttransistorinaplasticmicrominiatureSOT343Rpackagewithsourceandsubstrateinterconnected.Thetransistorisprotectedagainstexcessiveinputvoltagesurgesbyintegratedback-to-backdiodesbetweengatesandsource. FEATURES ?Highforward	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
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