BF999E6327HTSA1_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-射頻-英飛凌

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原廠料號(hào):BF999E6327HTSA1品牌:Infineon Technologies

資料說(shuō)明:MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23

BF999E6327HTSA1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻。制造商INFINEON/英飛凌生產(chǎn)封裝TO-236-3,SC-59,SOT-23-3的BF999E6327HTSA1晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類(lèi)型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號(hào):

    bf999e6327htsa1

  • 規(guī)格書(shū):

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng):

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱(chēng):

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱(chēng):

    英飛凌科技股份公司

  • 資料說(shuō)明:

    MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BF999E6327HTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤(pán)

  • 晶體管類(lèi)型:

    N 通道

  • 頻率:

    45MHz

  • 增益:

    27dB

  • 額定電流(安培):

    30mA

  • 噪聲系數(shù):

    2.1dB

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-SOT23

  • 描述:

    MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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