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PD57006STR-E_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-射頻-意法半導(dǎo)體

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原廠料號(hào)：PD57006STR-E品牌：STMicroelectronics

資料說明：TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

PD57006STR-E是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條直引線）的PD57006STR-E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號(hào)：

    pd57006str-e

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 資料說明：

    TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    PD57006STR-E

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    945MHz

  • 增益：

    15dB

  • 額定電流（安培）：

    1A

  • 功率 - 輸出：

    6W

  • 封裝/外殼：

    PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條直引線）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PowerSO-10RF（直引線）

  • 描述：

    TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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