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首頁>BFG10W/X,115>芯片詳情
BFG10W/X 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻 NXP/恩智浦
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品參考屬性
- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
BFG10W/X,115
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 類別:
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
10V
- 頻率 - 躍遷:
1.9GHz
- 功率 - 最大值:
400mW
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
25 @ 50mA,5V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
250mA
- 工作溫度:
175°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
SOT-343 反向插針
- 供應(yīng)商器件封裝:
4-SO
- 描述:
RF TRANS NPN 10V 1.9GHZ 4SO
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