BFG19分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
BFG19 |
| 參數(shù)屬性 | BFG19 封裝/外殼為TO-261-4，TO-261AA；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT223 |
| 功能描述 | NPN Silicon RF Transistor |
| 封裝外殼 | TO-261-4，TO-261AA |
| 文件大小 |
99.17 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
6 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-18 17:21:00 |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
BFG19三極管、BFG19晶體管、BFG19晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性質(zhì)：
超高頻/特高頻 （UHF）_寬頻帶放大 （A）
- 封裝形式：
貼片封裝
- 極限工作電壓：
20V
- 最大電流允許值：
0.1A
- 最大工作頻率：
5GHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
BFG55,BFG198,
- 最大耗散功率：
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
H-99
- vtest：
20
- htest：
5000000000
- atest：
0.1
- wtest：
0
BFG19規(guī)格書詳情
NPN Silicon RF Transistor
? For low noise, low distortion broadband
amplifiers in antenna and
telecommunication systems up to 1.5 GHz
at collector currents from 10 mA to 70 mA
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
BFG198,115
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
10V
- 頻率 - 躍遷：
8GHz
- 功率 - 最大值：
1W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 50mA，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
100mA
- 工作溫度：
175°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-261-4，TO-261AA
- 供應(yīng)商器件封裝：
SC-73
- 描述：
RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT223
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP |
24+ |
SOT-223 |
16800 |
絕對原裝進口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!? |
詢價 | ||
ON |
23+ |
SOT23 |
20000 |
詢價 | |||
NXP |
24+ |
SMD |
20000 |
NXP一級代理原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
NEXPERIA |
23+ |
SOT-143 |
63000 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
INFINEON |
23+ |
NA |
1931 |
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詢價 | ||
恩智浦 | NXP |
21+ |
SOT223 |
3800 |
詢價 | |||
Infineon/英飛凌 |
1950+ |
SOT-223 |
4856 |
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INFINEON |
22+23+ |
Sot-223 |
33758 |
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
NXP |
20+ |
SOT223 |
26000 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
NA |
19+ |
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詢價 |
