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SiliconNPNPlanarRFTransistor Features ?Lownoisefigure ?HightransitionfrequencyfT=8GHz ?Excellentlargesignalbehaviour ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications ??Forlownoiseandhighgainapplicationssuchaspoweramplifiersupto2GHzand | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
SiliconNPNPlanarRFTransistor | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
SiliconNPNPlanarRFTransistor Features ?Lownoisefigure ?HightransitionfrequencyfT=8GHz ?Excellentlargesignalbehaviour ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications ??Forlownoiseandhighgainapplicationssuchaspoweramplifiersupto2GHzand | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
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SiliconNPNPlanarRFTransistor Features ?Lownoisefigure ?HightransitionfrequencyfT=8GHz ?Excellentlargesignalbehaviour ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications ??Forlownoiseandhighgainapplicationssuchaspoweramplifiersupto2GHzand | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
SiliconNPNPlanarRFTransistor | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHzForlinearbroadbandamplifiers) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz F=1.3dBat900MHz | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司 | SIEMENS | ||
NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor* ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz,F=1dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)package1) ?QualifiedaccordingAECQ101 *Shorttermdescription | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
NPNSiliconRFTransistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz,NFmin=1dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)package ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
超高頻/特高頻 （UHF）_寬頻帶放大 （A）
- 封裝形式：
貼片封裝
- 極限工作電壓：
20V
- 最大電流允許值：
0.08A
- 最大工作頻率：
8GHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
- 最大耗散功率：
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
H-99
- vtest：
20
- htest：
8000000000
- atest：
0.08
- wtest：
0
詳細(xì)參數(shù)
- 型號：
BFG193
- 制造商：
INFINEON
- 制造商全稱：
Infineon Technologies AG
- 功能描述：
NPN Silicon RF Transistor
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飛凌) |
24+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
9698 |
原廠渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號開票。 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
SOT-223 |
2000 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
SOT-223 |
163000 |
一級代理保證進(jìn)口原裝正品現(xiàn)貨假一罰十價(jià)格合理 |
詢價(jià) | ||
PHILIPS/飛利浦 |
23+ |
1688 |
房間現(xiàn)貨庫存:QQ:373621633 |
詢價(jià) | |||
INFINEON |
24+ |
SOT-223 |
38200 |
新進(jìn)庫存/原裝 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
24+ |
2645 |
100%全新原裝公司現(xiàn)貨供應(yīng)!隨時(shí)可發(fā)貨 |
詢價(jià) | |||
NXP |
12+ |
SOT223 |
15000 |
全新原裝,絕對正品,公司現(xiàn)貨供應(yīng)。 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
23+ |
SOT-223 |
1922 |
全新原裝 |
詢價(jià) | ||
INFNEON |
24+ |
TO223 |
21322 |
公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價(jià)出售!強(qiáng)勢庫存! |
詢價(jià) | ||
PHILIPS |
23+ |
SOT223 |
12300 |
詢價(jià) |
