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BFG21W分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFG21W
廠商型號(hào)

BFG21W

參數(shù)屬性

BFG21W 封裝/外殼為SC-82A,SOT-343;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 4.5V 18GHZ CMPAK-4

功能描述

UHF power transistor

絲印標(biāo)識(shí)

P1

封裝外殼

SOT-343R / SC-82A,SOT-343

文件大小

116.31 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-28 20:00:00

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BFG21W規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NPN double polysilicon bipolar power transistor with buried layer for low voltage medium power applications encapsulated in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343R package.

FEATURES

? High power gain

? High efficiency

? 1.9 GHz operating area

? Linear and non-linear operation.

APPLICATIONS

? Common emitter class-AB output stage in hand held radio equipment at 1.9 GHz such as DECT, PHS, etc.

? Driver for DCS1800, 1900.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BFG21W,115

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    4.5V

  • 頻率 - 躍遷:

    18GHz

  • 功率 - 最大值:

    600mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 200mA,2V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    500mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-82A,SOT-343

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    CMPAK-4

  • 描述:

    RF TRANS NPN 4.5V 18GHZ CMPAK-4

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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