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BFG25A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFG25A
廠商型號

BFG25A
參數(shù)屬性

BFG25A 封裝/外殼為SOT-343 反向插針；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 5V 5GHZ 4SO
功能描述

NPN 5 GHz wideband transistor
封裝外殼

SOT-343 反向插針
文件大小

289.38 Kbytes
頁面數(shù)量

12 頁
生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp【恩智浦】

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-9 20:00:00

BFG25A規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NPN silicon wideband transistor in a four-lead dual emitter SOT143B plastic package (cross emitter).

FEATURES

? Low current consumption (100 μA to 1 mA)

? Low noise figure

? Gold metallization ensures excellent reliability.

APPLICATIONS

? RF low power amplifiers, such as pocket telephones, paging systems, with signal frequencies up to 2 GHz.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    BFG25AW/X,115

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    5V

  • 頻率 - 躍遷：

    5GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：

    1.9dB ~ 2dB @ 1GHz

  • 功率 - 最大值：

    500mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    50 @ 500μA，1V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    6.5mA

  • 工作溫度：

    175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SOT-343 反向插針

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    4-SO

  • 描述：

    RF TRANS NPN 5V 5GHZ 4SO

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
PHILIPS/飛利浦
23+
NA/
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原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
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