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BFG35分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

BFG35
廠商型號(hào)

BFG35

參數(shù)屬性

BFG35 封裝/外殼為T(mén)O-261-4,TO-261AA;包裝為卷帶(TR);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 18V 4GHZ SOT223

功能描述

RF Manual 16th edition

封裝外殼

TO-261-4,TO-261AA

文件大小

9.37507 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

130 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

nxp恩智浦

中文名稱(chēng)

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-24 22:30:00

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晶體管資料

  • 型號(hào):

    BFG35

  • 別名:

    BFG35三極管、BFG35晶體管、BFG35晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    甚高頻 (VHF)_超高頻/特高頻 (UHF)_寬頻帶放大

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    25V

  • 最大電流允許值:

    0.15A

  • 最大工作頻率:

    4GHZ

  • 引腳數(shù):

    4

  • 可代換的型號(hào):

    BFG135,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    H-99

  • vtest:

    25

  • htest:

    4000000000

  • atest:

    0.15

  • wtest:

    0

BFG35規(guī)格書(shū)詳情

General description

10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.

Features and benefits

■ High efficiency

■ Excellent ruggedness

■ Designed for broadband operation

■ Excellent thermal stability

■ High power gain

■ Integrated ESD protection

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

Applications

■ CDMA

■ W-CDMA

■ GSM EDGE

■ MC-GSM

■ LTE

■ WiMAX

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BFG35,115

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類(lèi)型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    18V

  • 頻率 - 躍遷:

    4GHz

  • 功率 - 最大值:

    1W

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    25 @ 100mA,10V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    150mA

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SC-73

  • 描述:

    RF TRANS NPN 18V 4GHZ SOT223

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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