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BFG425W分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFG425W
廠商型號

BFG425W

參數(shù)屬性

BFG425W 封裝/外殼為SC-82A,SOT-343;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產品描述:RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ CMPAK-4

功能描述

RF Manual 16th edition

絲印標識

P5

封裝外殼

SOT-343R / SC-82A,SOT-343

文件大小

9.37507 Mbytes

頁面數(shù)量

130

生產廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導體公司官網

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-9 22:58:00

BFG425W規(guī)格書詳情

General description

10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.

Features and benefits

■ High efficiency

■ Excellent ruggedness

■ Designed for broadband operation

■ Excellent thermal stability

■ High power gain

■ Integrated ESD protection

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

Applications

■ CDMA

■ W-CDMA

■ GSM EDGE

■ MC-GSM

■ LTE

■ WiMAX

產品屬性

  • 產品編號:

    BFG425W,135

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    4.5V

  • 頻率 - 躍遷:

    25GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz

  • 增益:

    20dB

  • 功率 - 最大值:

    135mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 25mA,2V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    30mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-82A,SOT-343

  • 供應商器件封裝:

    CMPAK-4

  • 描述:

    RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ CMPAK-4

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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