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BFG425W分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFG425W
廠商型號(hào)

BFG425W
參數(shù)屬性

BFG425W 封裝/外殼為SC-82A，SOT-343；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ CMPAK-4
功能描述

isc Silicon NPN RF Transistor
封裝外殼

SC-82A，SOT-343
文件大小

292.87 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC【無錫固電】

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-26 9:16:00

BFG425W規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? High Power Gain

? High Current Gain Bandwidth Product

? Low Noise Figure

? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

? Designed for use in RF wideband amplifiers and oscillators.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    BFG425W,135

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    4.5V

  • 頻率 - 躍遷：

    25GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：

    0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz

  • 增益：

    20dB

  • 功率 - 最大值：

    135mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    50 @ 25mA，2V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    30mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SC-82A，SOT-343

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    CMPAK-4

  • 描述：

    RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ CMPAK-4

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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