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BFG540W-XR	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RF Manual 16th edition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFG540X	文件：343.31 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BFG540-X	文件：556.92 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONRFTRANSISTOR Feature Highgain:︱S21e︱2TYP.Valueis13dB@VCE=8V，IC=40mA，f=0.9GHz Lownoise:NFTYP.Valueis1.8dB@VCE=10V，IC=10mA，f=0.9GHz fT(TYP.):TYP.Valueis9GHz@VCE=8V，IC=40mA，f=1GHz	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科廣東時科微實(shí)業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY
BFG540-X	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
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BFG540-XR	文件：556.92 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONRFTRANSISTOR Feature Highgain:︱S21e︱2TYP.Valueis13dB@VCE=8V，IC=40mA，f=0.9GHz Lownoise:NFTYP.Valueis1.8dB@VCE=10V，IC=10mA，f=0.9GHz fT(TYP.):TYP.Valueis9GHz@VCE=8V，IC=40mA，f=1GHz	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科廣東時科微實(shí)業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY
BFM540	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFP540	文件：159.89 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forhighestgainandlownoiseamplifier ?OutstandingGms=21.5dBat1.8GHzMinimumnoisefigureNFmin=0.9dBat1.8GHz ?Pb-free(RoHScompliant)andhalogen-freepackagewithvisibleleads ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP540	文件：548.51 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP540	文件：578.51 Kbytes Page：10 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP540ESD	文件：228.29 Kbytes Page：9 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?ForESDprotectedhighgainlownoiseamplifier ?HighESDrobustness typicalvalue1000V(HBM) ?OutstandingGms=21.5dB@1.8GHz MinimumnoisefigureNFmin=0.9dB@1.8GHz ?Pb-free(RoHScompliant)andhalogen-freepackage withvi	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP540ESD	文件：602.67 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP540ESD	文件：628.47 Kbytes Page：9 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP540F	文件：189.37 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor ?Forhighestgainlownoiseamplifierat1.8GHz ?OutstandingGms=20dB NoiseFigureF=0.9dB ?Goldmetallizationforhighreliability ?SIEGET45-Line	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP540FESD	文件：112.56 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconRFTransisto NPNSiliconRFTransistor* ?ForESDprotectedhighgainlownoiseamplifier ?ExcellentESDperformancetypicalvalue1000V(HBM) ?OutstandingGms=20dB NoiseFigureF=0.9dB ?SIEGET?45-Line ?Pb-free(ROHScompliant)package1) ?QualifiedaccordingAECQ101 *Shorttermdesc	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP540FESD	文件：504.48 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP540FESD	文件：538.44 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFQ540	文件：71.68 Kbytes Page：8 Pages	NPNwidebanddualtransistor DESCRIPTION NPNwidebandtransistorinaSOT89 plasticpackage. FEATURES ?Highgain ?Highoutputvoltage ?Lownoise ?Goldmetallizationensuresexcellentreliability ?Lowthermalresistance. APPLICATIONS ?VHF,UHFandCATVamplifiers.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BFQ540	文件：238.35 Kbytes Page：8 Pages	NPNwidebandtransistor DESCRIPTION NPNwidebandtransistorinaSOT89plasticpackage. FEATURES ?Highgain ?Highoutputvoltage ?Lownoise ?Goldmetallizationensuresexcellentreliability ?Lowthermalresistance. APPLICATIONS ?VHF,UHFandCATVamplifiers.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFQ540	文件：120.15 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION ·HighGain ·HighOutputVoltage ·LowNoise APPLICATIONS ·DesignedforuseinVHF,UHFandCATVamplifiers.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳廊盛科技有限公司	BFG540W超小型管	NXP/恩智浦	22+	SOT-343	50000	原裝正品.假一罰十	詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	BFG540X	PHI	24+	SOT-143	18000		詢價
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深圳市聯(lián)世界科技有限公司	BFG540X	PHILIPS			678	原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)	詢價
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