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BFG591分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFG591
廠商型號

BFG591

參數(shù)屬性

BFG591 封裝/外殼為TO-261-4,TO-261AA;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 15V 7GHZ SOT223

功能描述

NPN 7 GHz wideband transistor

封裝外殼

TO-261-4,TO-261AA

文件大小

106.7 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-12 16:53:00

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BFG591規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NPN silicon planar epitaxial transistor in a plastic, 4-pin SOT223 package.

FEATURES

? High power gain

? Low noise figure

? High transition frequency

? Gold metallization ensures excellent reliability.

APPLICATIONS

Intended for applications in the GHz range such as MATV or CATV amplifiers and RF communications subscriber equipment.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BFG591,115

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    15V

  • 頻率 - 躍遷:

    7GHz

  • 功率 - 最大值:

    2W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 70mA,8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    200mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SC-73

  • 描述:

    RF TRANS NPN 15V 7GHZ SOT223

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NXP
2015+
SOT223
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NXP
23+
SOT-223
5500
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