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BFP650F分立半導體產品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFP650F
廠商型號

BFP650F
參數(shù)屬性

BFP650F 封裝/外殼為4-SMD，扁平引線；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產品描述：RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4TSFP
功能描述

NPN Silicon Germanium RF Transistor
RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4TSFP
封裝外殼

4-SMD，扁平引線
文件大小

129.99 Kbytes
頁面數(shù)量

7 頁
生產廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網
原廠標識
數(shù)據手冊

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更新時間

2025-2-2 17:22:00

BFP650F規(guī)格書詳情

BFP650F屬于分立半導體產品的晶體管-雙極（BJT）-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產的BFP650F晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

Linear Low Noise SiGe:C Bipolar RF Transistor

? For medium power amplifiers and driver stages

? Based on Infineon s reliable high volume Silicon

Germanium technology

? High OIP3 and P-1dB

? Ideal for low phase noise oscilators

? Maxim. available Gain G

ma = 21.5 dB at 1.8 GHz

Minimun noise figure NFmin = 0.8 dB at 1.8 GHz

? Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free thin small

flat package with visible leads

? Qualification report according to AEC-Q101 available

產品屬性

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  • 產品編號：

    BFP650FH6327XTSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    4.5V

  • 頻率 - 躍遷：

    42GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

  • 增益：

    11dB ~ 21.5dB

  • 功率 - 最大值：

    500mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    110 @ 80mA，3V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    150mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    4-SMD，扁平引線

  • 供應商器件封裝：

    4-TSFP

  • 描述：

    RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4TSFP

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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