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BFP650分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFP650
廠商型號

BFP650

參數(shù)屬性

BFP650 封裝/外殼為4-SMD,扁平引線;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4TSFP

功能描述

NPN Silicon Germanium RF Transistor
RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4TSFP

封裝外殼

4-SMD,扁平引線

文件大小

191.16 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-18 22:58:00

BFP650規(guī)格書詳情

BFP650屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BFP650晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

NPN Silicon Germanium RF Transistor

Preliminary data

? For high power amplifiers

? Ideal for low phase noise oscilators

? Maxim. available Gain Gma = 21 dB at 1.8 GHz

Noise figure F = 0.9 dB at 1.8 GHz

? Gold metallization for high reliability

? 70 GHz fT- Silicon Germanium technology.

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BFP650FH6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    4.5V

  • 頻率 - 躍遷:

    42GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

  • 增益:

    11dB ~ 21.5dB

  • 功率 - 最大值:

    500mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    110 @ 80mA,3V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    150mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    4-SMD,扁平引線

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    4-TSFP

  • 描述:

    RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4TSFP

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