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BFP650

NPN Silicon Germanium RF Transistor

ProductBrief TheBFP650isahighlinearitywidebandNPNbipolarRFtransistor.ThedeviceisbasedonInfineon’sreliablehighvolumesilicongermaniumcarbon(SiGe:C)heterojunctionbipolartechnology.ThecollectordesignsupportsvoltagesuptoVCEO=4VandcurrentsuptoIC=150mA.With

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BFP650

NPN Silicon Germanium RF Transistor

NPNSiliconGermaniumRFTransistor Preliminarydata ?Forhighpoweramplifiers ?Idealforlowphasenoiseoscilators ?Maxim.availableGainGma=21dBat1.8GHz NoisefigureF=0.9dBat1.8GHz ?Goldmetallizationforhighreliability ?70GHzfT-SiliconGermaniumtechnology.

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BFP650

High Linearity Silicon Germanium Bipolar RF Transistor

ProductBrief TheBFP650isahighlinearitywidebandNPNbipolarRFtransistor.ThedeviceisbasedonInfineon’sreliablehighvolumesilicongermaniumcarbon(SiGe:C)heterojunctionbipolartechnology.ThecollectordesignsupportsvoltagesuptoVCEO=4VandcurrentsuptoIC=150mA.With

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BFP650

High Linearity Low Noise SiGe:C NPN RF Transistor

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BFP650E6327

NPN Silicon Germanium RF Transistor

NPNSiliconGermaniumRFTransistor Preliminarydata ?Forhighpoweramplifiers ?Idealforlowphasenoiseoscilators ?Maxim.availableGainGma=21dBat1.8GHz NoisefigureF=0.9dBat1.8GHz ?Goldmetallizationforhighreliability ?70GHzfT-SiliconGermaniumtechnology.

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BFP650F

NPN Silicon Germanium RF Transistor

LinearLowNoiseSiGe:CBipolarRFTransistor ?Formediumpoweramplifiersanddriverstages ?BasedonInfineonsreliablehighvolumeSilicon Germaniumtechnology ?HighOIP3andP-1dB ?Idealforlowphasenoiseoscilators ?Maxim.availableGainG ma=21.5dBat1.8GHz Mini

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BFP650H6327

High Linearity Silicon Germanium Bipolar RF Transistor

ProductBrief TheBFP650isahighlinearitywidebandNPNbipolarRFtransistor.ThedeviceisbasedonInfineon’sreliablehighvolumesilicongermaniumcarbon(SiGe:C)heterojunctionbipolartechnology.ThecollectordesignsupportsvoltagesuptoVCEO=4VandcurrentsuptoIC=150mA.With

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BFP650_10

High Linearity Low Noise SiGe:C NPN RF Transistor

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BFP650F

Linear Low Noise SiGe:C Bipolar RF Transistor

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BFP650F_13

Linear Low Noise SiGe:C Bipolar RF Transistor

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    BFP650

  • 功能描述：

    TRANS NPN RF 4V 150MA SOT-343

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管(BJT)

  • 系列：

    -

  • 產(chǎn)品變化通告：

    Product Discontinuation 17/Dec/2010

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1

  • 晶體管類型：

    NPN 電壓 -

  • 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：

    4.7V 頻率 -

  • 轉(zhuǎn)換：

    47GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）：

    0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz

  • 增益：

    9dB ~ 31dB 功率 -

  • 最大：

    160mW 在某 Ic、Vce

  • 時(shí)的最小直流電流增益(hFE)：

    160 @ 25mA，3V 電流 -

  • 集電極(Ic)（最大）：

    45mA

  • 安裝類型：

    表面貼裝

  • 封裝/外殼：

    4-SMD，扁平引線

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    4-TSFP

  • 包裝：

    Digi-Reel®

  • 其它名稱：

    BFP 740FESD E6327DKR

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
Infineon(英飛凌)
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
9268
原廠渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號(hào)開票。
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
2021+
SOT343-4
17838
原裝進(jìn)口假一罰十
 詢價(jià)
INFINEON
24+
SOT-343
6000
一級(jí)代理保證進(jìn)口原裝正品現(xiàn)貨假一罰十價(jià)格合理
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
20+
SOT343
120000
原裝正品 可含稅交易
 詢價(jià)
Infineon Technologies
23+
SOT343-4
13000
15年原裝正品企業(yè)
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
23+
SOT343
100586
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)!
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
24+
SOT343
159772
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
24+
SOT343
7906200
一站配齊,原盒原包現(xiàn)貨原廠一手渠道聯(lián)系
 詢價(jià)
INFINEON
2024+
N/A
70000
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)
 詢價(jià)
INFINEON
24+
SOT-343SOT-323-4
6449
新進(jìn)庫存/原裝
 詢價(jià)
更多BFP650供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-3 9:38:00

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