BFP720FESD 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 INFINEON/英飛凌

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廠家型號：
BFP720FESD
產(chǎn)品分類：
芯片
生產(chǎn)廠商：
INFINEON/英飛凌
庫存數(shù)量：
17857
產(chǎn)品封裝：
NA
生產(chǎn)批號：
2021+
庫存類型：
優(yōu)勢庫存
更新時間：
2024-11-16 9:53:00

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原廠料號：BFP720FESD品牌：INFINEON/英飛凌

原裝進(jìn)口假一罰十

BFP720FESD是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商INFINEON/英飛凌/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝NA/4-SMD，扁平引線的BFP720FESD晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

芯片型號：
BFP720FESD
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
INFINEON【英飛凌】詳情
廠商全稱：
Infineon Technologies AG
中文名稱：
英飛凌科技股份公司
內(nèi)容頁數(shù)：
28 頁
文件大?。?/span>
1638.23 kb
資料說明：
Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
BFP720FESDH6327XTSA1
制造商：
Infineon Technologies
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
包裝：
托盤
晶體管類型：
NPN
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
4.7V
頻率 - 躍遷：
45GHz
噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：
0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz
增益：
10dB ~ 29dB
功率 - 最大值：
100mW
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
160 @ 15mA，3V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
30mA
工作溫度：
150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
4-SMD，扁平引線
供應(yīng)商器件封裝：
4-TSFP
描述：
RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP

供應(yīng)商

企業(yè)：
深圳市英科美電子有限公司
商鋪：
進(jìn)入商鋪
聯(lián)系人：
張先生
手機(jī)：
15507502698
詢價：
電話：
0755-23903058
傳真：
0755-23905869
地址：
深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟730

BFP720FESD 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 INFINEON/英飛凌

BFP720FESD

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