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DG722

1.8Vto5.5V,4??DualSPSTSwitches

FEATURES ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 definition ?1.8Vto5.5Vsinglepowersupply ?Lowandflatswitchonresistance,2.5?/typ. ?Lowleakageandparasiticcapacitance ?366MHz,-3dBbandwidth ?Latch-upcurrent>300mA(JESD78) ?Spacesavingpackages 2mmx2mm

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

DRA722

InfotainmentApplicationsProcessor

TI1Texas Instruments

德州儀器

DRA722

InfotainmentApplicationsProcessorSiliconRevision2.0

TI1Texas Instruments

德州儀器

FMMT722

SILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS

FEATURES *625mWPOWERDISSIPATION *ICCONT2.5A *ICUpTo10APeakPulseCurrent *ExcellenthfeCharacteristicsUpTo10A(pulsed) *ExtremelyLowSaturationVoltageE.g.10mVTyp. *Exhibitsextremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)

Zetex

Zetex Semiconductors

FMMT722

SwitchingTransistor

Features ●625mWpowerdissipation. ●ICCONT2.5A. ●ICupto10Apeakpulsecurrent. ●Excellenthfecharacteristicsupto10A(pulsed). ●Extremelylowsaturationvoltagee.g.10mVtyp.. ●Exhibitsextremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat).

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

FMMT722

SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS

Features ?BVCEO>-12V ?IC=-2.5AContinuousCollectorCurrent ?ICM=-10APeakPulseCurrent ?LowSaturationVoltageE.g.-17mVMax@IC=-100mA. ?RCE(sat)=72m?at2.5Aforalowequivalenton-resistance ?625mWpowerdissipation ?hFEcharacterisedupto-10Aforhighcurrentgai

DIODES

Diodes Incorporated

FMMT722

SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS

Features ?BVCEO>-100V ?IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent ?ICM=-2.5APeakPulseCurrent ?LowSaturationVoltageVCE(sat)

DIODES

Diodes Incorporated

FMMT722TA

SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS

Features ?BVCEO>-100V ?IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent ?ICM=-2.5APeakPulseCurrent ?LowSaturationVoltageVCE(sat)

DIODES

Diodes Incorporated

HE722

DualOutputVCO

BOWEIBOWEI Integrated Circuits CO.,LTD.

博威集成電路河北博威集成電路有限公司

HEm722

DualOutputVCO

BOWEIBOWEI Integrated Circuits CO.,LTD.

博威集成電路河北博威集成電路有限公司

晶體管資料

  • 型號:

    BFP722

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    調(diào)頻 (FM)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    25V

  • 最大電流允許值:

    0.1A

  • 最大工作頻率:

    250MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    3DG120C,

  • 最大耗散功率:

    0.15W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    H-93

  • vtest:

    25

  • htest:

    250000000

  • atest:

    0.1

  • wtest:

    0.15

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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