BFP740FESD 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 INFINEON/英飛凌

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廠家型號：
BFP740FESD
產(chǎn)品分類：
芯片
生產(chǎn)廠商：
INFINEON
庫存數(shù)量：
35960
產(chǎn)品封裝：
con
生產(chǎn)批號：
24+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-1-5 9:00:00

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原廠料號：BFP740FESD品牌：INFINEON

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BFP740FESD是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商INFINEON/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝con/4-SMD，扁平引線的BFP740FESD晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

芯片型號：
BFP740FESD
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
INFINEON【英飛凌】詳情
廠商全稱：
Infineon Technologies AG
中文名稱：
英飛凌科技股份公司
內(nèi)容頁數(shù)：
28 頁
文件大?。?/span>
1641 kb
資料說明：
Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
BFP740FESDH6327XTSA1
制造商：
Infineon Technologies
類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
晶體管類型：
NPN
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
4.7V
頻率 - 躍遷：
47GHz
噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：
0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz
增益：
9dB ~ 31dB
功率 - 最大值：
160mW
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
160 @ 25mA，3V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
45mA
工作溫度：
150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
4-SMD，扁平引線
供應商器件封裝：
4-TSFP
描述：
RF TRANS NPN 4.7V 47GHZ 4TSFP

供應商

企業(yè)：
深圳市德力誠信科技有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
王女士
手機：
13969210552
詢價：
電話：
13969210552
地址：
深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路3031號漢國城市商業(yè)中心3204

BFP740FESD 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 INFINEON/英飛凌

BFP740FESD

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