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BFR30LT1G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET規(guī)格書PDF中文資料

BFR30LT1G
廠商型號(hào)

BFR30LT1G
參數(shù)屬性

BFR30LT1G 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET；產(chǎn)品描述：JFET N-CH 225MW SOT23
功能描述

JFET Amplifiers(N-Channel)
JFET N-CH 225MW SOT23
封裝外殼

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小

59.4 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-1-24 23:21:00

BFR30LT1G規(guī)格書詳情

BFR30LT1G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的BFR30LT1G晶體管 - JFET結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (JFET) 是用作電子控制開關(guān)、放大器或電壓控制電阻器的器件。在柵極端子與源極端子之間施加適當(dāng)極性的電勢(shì)差就會(huì)增加電流流動(dòng)的阻力，這意味著源極端子與漏極端子之間通道中流動(dòng)的電流會(huì)更少。由于電荷流過(guò)源極與漏極端子之間的半導(dǎo)體通道，因此 JFET 不需要偏置電流。

JFET Amplifiers

N?Channel

Features

? Pb?Free Package is Available

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    BFR30LT1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - JFET

  • 包裝：

    散裝

  • FET 類型：

    N 通道

  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：

    5pF @ 10V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23-3（TO-236）

  • 描述：

    JFET N-CH 225MW SOT23

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
PHILIPS
24+
SOT-23
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