首頁(yè) >BFR540,235>規(guī)格書列表

零件編號(hào)下載 訂購(gòu)功能描述/絲印制造商 上傳企業(yè)LOGO

BFS540

NPN9GHzwidebandtransistor

DESCRIPTION NPNtransistorinaplasticSOT323envelope. ItisintendedforRFwidebandamplifierapplicationssuchassatelliteTVsystemsandRFportablecommunicationequipmentwithsignalfrequenciesupto2GHz. FEATURES ?Highpowergain ?Lownoisefigure ?Hightransitionfrequency

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BFS540

LowNoiseFigure

DESCRIPTION ?LowNoiseFigure NF=1.3dBTYP.@VCE=8V,lc=10mA,f=900MHz ?HighCurrent-Gain—BandwidthProduct fT=9GHzTYP.@VCE=8V,lc=40mA,f=1GHz APPLICATIONS ?DesignedforRFwidebandamplifierapplicationssuchas satelliteTVsystemsandRFportable

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BFS540

SiliconNPNRFTransistor

DESCRIPTION ?LowNoiseFigure NF=1.3dBTYP.@VCE=8V,lc=10mA,f=900MHz ?HighCurrent-Gain—BandwidthProduct fT=9GHzTYP.@VCE=8V,lc=40mA,f=1GHz APPLICATIONS ?DesignedforRFwidebandamplifierapplicationssuchas satelliteTVsystemsandRFportable

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

BFS540

RFManual16thedition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BFU540

NPNSiGewidebandtransistor

DESCRIPTION NPNSiGewidebandtransistorforlowvoltageapplicationsinaplastic,4-pindual-emitterSOT343Rpackage. FEATURES ?Veryhighpowergain ?Verylownoisefigure ?Hightransitionfrequency ?Emitteristhermallead ?Lowfeedbackcapacitance ?45GHzSiGeprocess. APPLICATI

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BGB540

A35dBGain-SlopedLNBI.F.AmplifierforDirectBroadcastSatelliteTelevisionApplicationsusingtheBGA430&BGB540SiliconMMICs

Description TheBGA430isabroadbandhighgainamplifierbaseduponInfineonTechnologies’SiliconBipolarTechnologyB6HF.HousedinasmallSOT363packagethisSiliconMonolithicMicrowaveIntegratedCircuit(MMIC)requiresveryfewexternalcomponentsduetotheintegratedbiasingconcept.

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BGB540

ActiveBiasedRFTransistor

Description SIEGET?-45NPNTransistorwithintegratedbiasingforhighgainlownoisefigureapplications.ICcanbecontrolledusingIBiasaccordingtoIC=10*IBias. Features ?Gms=18dBat1.8GHz ?SmallSOT343package ?Currenteasyadjustablebyanexternalresistor ?Opencollectoroutpu

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BGB540LNA

BGB540asa1.85GHzLowNoiseAmplifier

BGB540asa1.85GHzLowNoiseAmplifier

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BO540W

SCHOTTKYRECTIFIERVOLTAGE40VoltsCURRENT500mAmpers

RECTRON

Rectron Semiconductor

BRUS540

ULTRA-FASTRECOVERY4to6AMPERESSINGLE-PHASE,FULL-WAVEBRIDGESHEATSINKCHASSISPCBOARDMOUNTING

edi

Electronic devices inc.

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    BFR540,235

  • 功能描述：

    射頻雙極小信號(hào)晶體管 Single NPN 15V 120mA 500mW 100 9GHz

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    NXP Semiconductors

  • 配置：

    Single

  • 晶體管極性：

    NPN

  • 最大工作頻率：

    7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    15 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    2 V

  • 集電極連續(xù)電流：

    0.15 A

  • 功率耗散：

    1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 封裝/箱體：

    SOT-223

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
NXP
22+
SOP
9852
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
 詢價(jià)
NXP
22+
NA
45000
加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,
 詢價(jià)
NXP
2022+
原廠原包裝
8600
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
 詢價(jià)
NXP/恩智浦
24+
65230
詢價(jià)
NXP/恩智浦
23+
7300
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
 詢價(jià)
NXP/恩智浦
23+
7300
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
 詢價(jià)
PH
24+
原廠封裝
7735
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價(jià)
IR
23+
原廠封裝
5177
現(xiàn)貨
 詢價(jià)
NXP/恩智浦
23+
SOT-23
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
NXP/恩智浦
2022
SOT-23
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
 詢價(jià)
更多BFR540,235供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-24 16:28:00

相關(guān)規(guī)格書

更多

相關(guān)庫(kù)存

更多