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BFS17S分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFS17S
廠商型號(hào)

BFS17S
參數(shù)屬性

BFS17S 封裝/外殼為6-VSSOP，SC-88，SOT-363；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS 2NPN 15V 1.4GHZ SOT363
功能描述

NPN Silicon RF Transistor (For broadband amplifiers up to 1GHz at collector currents from 1mA to 20mA)
封裝外殼

6-VSSOP，SC-88，SOT-363
文件大小

55.83 Kbytes
頁面數(shù)量

5 頁
生產(chǎn)廠商 Siemens Semiconductor Group
企業(yè)簡稱

SIEMENS【西門子】

中文名稱

德國西門子股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-15 22:30:00
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BFS17S規(guī)格書詳情

NPN Silicon RF Transistor

? For broadband amplifiers up to 1GHz at collector currents from 1mA to 20mA

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    BFS17SH6327XTSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    2 NPN（雙）

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    15V

  • 頻率 - 躍遷：

    1.4GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：

    3dB ~ 5dB @ 800MHz

  • 功率 - 最大值：

    280mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    40 @ 2mA，1V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    25mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    6-VSSOP，SC-88，SOT-363

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-SOT363-PO

  • 描述：

    RF TRANS 2NPN 15V 1.4GHZ SOT363

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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