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|---|---|---|---|---|
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,25A,RDS(ON)=53mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司 | CET-MOS | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor | CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司 | CET | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,36A,RDS(ON)=50mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired. RDS(ON)=53mW@VGS=5V. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司 | CET-MOS | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,36A,RDS(ON)=53mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package. | CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司 | CET | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,36A,RDS(ON)=53mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司 | CET-MOS | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,36A,RDS(ON)=48m?@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package. | CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司 | CET | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor | CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司 | CET | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,36A,RDS(ON)=50mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired. RDS(ON)=53mW@VGS=5V. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司 | CET-MOS | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,36A,RDS(ON)=53mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package. | CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司 | CET | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,36A,RDS(ON)=53mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司 | CET-MOS |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質：
表面帖裝型 （SMD）_超高頻/特高頻 （UHF）
- 封裝形式：
貼片封裝
- 極限工作電壓：
20V
- 最大電流允許值：
0.12A
- 最大工作頻率：
9GHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
- 最大耗散功率：
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
H-15
- vtest：
20
- htest：
9000000000
- atest：
0.12
- wtest：
0
詳細參數(shù)
- 型號：
BFS540
- 制造商：
NXP Semiconductors
- 功能描述：
TRANSISTOR NPN 9GHZ SOT-323
- 功能描述：
TRANSISTOR, NPN, 9GHZ, SOT-323
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP |
23+ |
SOT23 |
66800 |
全新原裝正品 |
詢價 | ||
NXP |
24+ |
SOT-323 |
89000 |
全新原裝現(xiàn)貨,假一罰十 |
詢價 | ||
NXP恩智浦/PHILIPS飛利浦 |
24+ |
SOT-323 |
366000 |
新進庫存/原裝 |
詢價 | ||
PHILIPS |
23+ |
SOT323 |
12300 |
詢價 | |||
PHI |
05+ |
原廠原裝 |
50051 |
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應 |
詢價 | ||
原廠正品 |
23+ |
SOT-323 |
60000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價 | ||
PHILIPS |
23+ |
SOT-323 |
6680 |
全新原裝優(yōu)勢 |
詢價 | ||
NXP |
1716+ |
SOT-323 |
7500 |
只做原裝進口,假一罰十 |
詢價 | ||
NXP |
1742+ |
SOT323 |
98215 |
只要網(wǎng)上有絕對有貨!只做原裝正品! |
詢價 | ||
SOT-323 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百! |
詢價 |
