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BY550

5.0AMP.SILICONRECTIFIERS

FEATURES: *Lowforwardvoltagedrop *Highcurrentcapability *Highreliability *Highsurgecurrentcapability

JGDJinan Gude Electronic Device

濟南固锝電子濟南固锝電子器件有限公司

BZX550

Siliconplanarzenerdiodes

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類制造商

C550

250WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT

250WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features ?SingleOutput ?3Ux21(24)TEx166.5mm(24TEfor5Voutputs) ?Weight1.7kg

POWERBOX

Powerbox manufactures

CDBB550-G

SMDSchottkyBarrierRectifiers

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

CDBB550-HF

SMDSchottkyBarrierRectifiers

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

CEB550

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 100V,33A,RDS(ON)=40mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEB550A

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 100V,36A,RDS(ON)=53mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CED550

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 100V,27A,RDS(ON)=40mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEF550A

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 100V,36A,RDS(ON)=53mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEP550

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 100V,33A,RDS(ON)=40mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    BFU550VL

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    12V

  • 頻率 - 躍遷：

    11GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    1.3dB @ 1.8GHz

  • 增益：

    15dB

  • 功率 - 最大值：

    450mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    60 @ 15mA，8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    50mA

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-253-4，TO-253AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-143B

  • 描述：

    RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NXP USA Inc.
24+
TO-253-4,TO-253AA
30000
晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價
NXP/恩智浦
23+
SOT143B
100586
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費!
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NXP
1809+
SOT-143
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NXP
22+
NA
45000
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NXP
2022+
原廠原包裝
8600
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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NXP
7000
只做正品
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NXP USA Inc.
24+
TO-253-4 TO-253AA
9350
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
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NXP(恩智浦)
23+
NA
20094
正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進口正品做服務(wù)做口碑有支持
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NXP
23+
SOT323
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
SK
22+
SOT-323
53800
原裝正品
 詢價
更多BFU550VL供應(yīng)商 更新時間2025-3-13 14:14:00

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