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BFU730F	文件：136.85 Kbytes Page：12 Pages	NPN wideband silicon germanium RF transistor Generaldescription NPNsilicongermaniummicrowavetransistorforhighspeed,lownoiseapplicationsinaplastic,4-pindual-emitterSOT343Fpackage. Featuresandbenefits ■Lownoisehighgainmicrowavetransistor ■Noisefigure(NF)=0.8dBat5.8GHz ■Highmaximumpowergain18.5dBat	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFU730F	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RF Manual 16th edition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFU730FWB	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RF Manual 16th edition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFU730F_15	文件：136.85 Kbytes Page：12 Pages	NPN wideband silicon germanium RF transistor	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BFU730F,115	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶封裝/外殼：SOT-343F 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻描述：RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4DFP	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFU730LX	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BLV730	文件：509.5 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET	BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD. 上海貝嶺上海貝嶺股份有限公司	Belling
BPF-A730	文件：495.71 Kbytes Page：1 Pages	BandpassFilter	MINI Mini-Circuits	MINI
BT730	文件：353.26 Kbytes Page：3 Pages	Class1Bluetoothv2.0Module	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
BT730	文件：1.65793 Mbytes Page：31 Pages	modulefromLairdTechnologiesisdesignedtoaddrobust,long-rangeBluetoothdataconnectivitytoanydevice	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
BT730-SA	文件：353.26 Kbytes Page：3 Pages	Class1Bluetoothv2.0Module	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
BT730-SA	文件：1.65793 Mbytes Page：31 Pages	modulefromLairdTechnologiesisdesignedtoaddrobust,long-rangeBluetoothdataconnectivitytoanydevice	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
BT730-SC	文件：1.65793 Mbytes Page：31 Pages	modulefromLairdTechnologiesisdesignedtoaddrobust,long-rangeBluetoothdataconnectivitytoanydevice	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
BT730-SC	文件：353.26 Kbytes Page：3 Pages	Class1Bluetoothv2.0Module	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
BTS730	文件：49.97 Kbytes Page：7 Pages	PWMPowerUnit(Thedeviceallowscontinuouspowercontrolforlamps,LEDsorinductiveloads.) PWMPowerUnit Thedeviceallowscontinuouspowercontrolforlamps,LEDsorinductiveloads. ?Highsideswitch ?Overtemperaturprotection ?Shortcircuit/overloadprotectionthroughpulsewidthreductionandoverloadshutdown ?Loaddumpprotection ?Undervoltageandovervoltageshutdown	SIEMENSSiemens Ltd 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BTS730	文件：135.82 Kbytes Page：7 Pages	PWMPowerUnit PWMPowerUnit Thedeviceallowscontinuouspowercontrolforlamps,LEDsorinductiveloads. ●Highsideswitch(Bootstrap) ●Overtemperaturprotection ●Shortcircuit/overloadprotectionthroughpulsewidthreductionandoverloadshutdown ●Loaddumpprotection ●Undervoltageandovervolta	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BTS730	文件：187.57 Kbytes Page：10 Pages	SmartHigh-SidePowerSwitch	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
CEB730G	文件：419.95 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES TypeVDSSRDS(ON)ID@VGS CEP730G400V1Ω5.5A10V CEB730G400V1Ω5.5A10V CEF730G400V1Ω5.5A10V ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeprod	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEB730G	文件：658.46 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Lead-freeplating.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED730G	文件：414.34 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
BFU730F
制造商：
PHILIPS
制造商全稱：
NXP Semiconductors
功能描述：
NPN wideband silicon germanium RF transistor

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	BFU730F	NXP(恩智浦)	23+	標(biāo)準(zhǔn)封裝	52048	全新原裝正品/價(jià)格優(yōu)惠/質(zhì)量保障	詢價(jià)
深圳市君億電子科技有限公司	BFU730F	NXP/恩智浦	21+	SOT	6000	原裝正品	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	BFU730F	NXP/恩智浦	1342+	SOT343	7	原裝正品可含稅交易	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	BFU730F	NXP(恩智浦)	23+	N/A	12000	一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
中科航電（深圳）電子集團(tuán)有限公司	BFU730F	NXP/恩智浦	24+	SOT343	7906200	一站配齊,原盒原包現(xiàn)貨原廠一手渠道聯(lián)系	詢價(jià)
深圳市星宇佳科技有限公司	BFU730F	NXP	21+	SOT343	8000		詢價(jià)
柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司	BFU730F	NXP	2024+	N/A	70000	柒號只做原裝現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)	詢價(jià)
深圳市華來深電子有限公司	BFU730F	NXP	23+	SOT343	8560	受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣!	詢價(jià)
深圳兆威電子有限公司	BFU730F	NEXPERIA	23+	SOT343F	63000	原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
瑞航達(dá)科技(深圳)有限公司	BFU730F	NXP			5338	原裝正品	詢價(jià)

更多BFU730F供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-7 23:00:00

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