BFU730F分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
BFU730F |
| 參數(shù)屬性 | BFU730F 封裝/外殼為SOT-343F；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4DFP |
| 功能描述 | RF Manual 16th edition |
| 封裝外殼 | SOT-343F |
| 文件大小 |
9.37507 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
130 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名稱 | 恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-9 13:38:00 |
| 人工找貨 | BFU730F價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
BFU730F規(guī)格書詳情
General description
10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.
Features and benefits
■ High efficiency
■ Excellent ruggedness
■ Designed for broadband operation
■ Excellent thermal stability
■ High power gain
■ Integrated ESD protection
■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)
Applications
■ CDMA
■ W-CDMA
■ GSM EDGE
■ MC-GSM
■ LTE
■ WiMAX
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
BFU730F,115
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
2.8V
- 頻率 - 躍遷：
55GHz
- 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：
0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
- 功率 - 最大值：
197mW
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
205 @ 2mA，2V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
30mA
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
SOT-343F
- 供應(yīng)商器件封裝：
4-DFP
- 描述：
RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4DFP
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP/恩智浦 |
23+ |
SOT343 |
8500 |
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詢價(jià) | ||
NXP/恩智浦 |
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SOT343F |
9600 |
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NXP |
24+ |
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NXP/恩智浦 |
24+ |
SOT343 |
56300 |
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詢價(jià) | ||
NXP/恩智浦 |
2023+ |
SOT-343 |
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NXP |
2024+ |
N/A |
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詢價(jià) | ||
NEXPERIA |
23+ |
SOT343F |
63000 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
NXP(恩智浦) |
23+ |
N/A |
6000 |
原裝正品 支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
NXP/恩智浦 |
24+ |
NPNSOT343F |
5070 |
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詢價(jià) | ||
CCSEMI/芯能圓 |
23+ |
SOT343F |
50000 |
原裝正品 支持實(shí)單 |
詢價(jià) |
