General description

NPN silicon microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.

Features and benefits

■ Low noise high linearity RF transistor

■ High output third-order intercept point 27 dBm at 1.8 GHz

■ 40 GHz fT silicon technology

Applications

■ Analog/digital cordless applications

■ X-band high output buffer amplifier

■ ZigBee

■ SDARS second stage LNA

■ LTE, cellular, UMTS

BFU660F屬于分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。恩智浦半導體公司制造生產的BFU660F晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP，特征參數包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。