首頁(yè)>BFY193PZZZA1>芯片詳情

BFY19 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻 NORCOMP

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào):BFY19品牌:NO

專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨

  • 芯片型號(hào):

    BFY193

  • 規(guī)格書:

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱:

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱:

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù):

    5 頁(yè)

  • 文件大小:

    394.35 kb

  • 資料說(shuō)明:

    HiRel NPN Silicon RF Transistor

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BFY193PZZZA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    12V

  • 頻率 - 躍遷:

    7.5GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    2.3dB ~ 2.9dB @ 2GHz

  • 增益:

    12.5dB ~ 13.5dB

  • 功率 - 最大值:

    580mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 30mA,8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    80mA

  • 工作溫度:

    200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    MICRO-X1

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    MICRO-X1

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ MICRO X1

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市安富世紀(jì)電子有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    趙妍

  • 手機(jī):

    18100277303

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    0755-23991454

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)A棟17E