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NTBG030N120M3S

Marking：BG030N120M3S；Package：D2PAK-7L；Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 29mohm, 1200V, M3S, D2PAK-7L

Features ?Typ.RDS(on)=29m@VGS=18V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=107nC) ?HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=106pF) ?100AvalancheTested ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typical

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NVBG030N120M3S

Marking：BG030N120M3S；Package：D2PAK-7L；Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 29mohm, 1200V, M3S, D2PAK-7L

Features ?Typ.RDS(on)=29m@VGS=18V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=107nC) ?HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=106pF) ?100AvalancheTested ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(on

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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進(jìn)口原裝,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨
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GCT
25
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VISHAY
24+
SMD
45
C33-外殼
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更多BG030N120M3S供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-16 17:30:00

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