首頁>熱銷型號第156頁>BG3123E6327HTSA1>詳情

BG3123E6327HTSA1_分立半導體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-射頻-英飛凌

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：BG3123E6327HTSA1品牌：Infineon Technologies

資料說明：MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363

BG3123E6327HTSA1是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商INFINEON/英飛凌生產(chǎn)封裝6-VSSOP，SC-88，SOT-363的BG3123E6327HTSA1晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號：

    bg3123e6327htsa1

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 資料說明：

    MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    BG3123E6327HTSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    2 N-通道（雙）

  • 頻率：

    800MHz

  • 增益：

    25dB

  • 額定電流（安培）：

    25mA，20mA

  • 噪聲系數(shù)：

    1.8dB

  • 封裝/外殼：

    6-VSSOP，SC-88，SOT-363

  • 供應商器件封裝：

    PG-SOT363-PO

  • 描述：

    MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Infineon Technologies
21+
PG-SOT363-6
15000
100%進口原裝!長期供應!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營)!
 詢價
INFINEON
1503+
SOT363-6
3000
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!
 詢價
Infineon
22+
NA
2118
加我QQ或微信咨詢更多詳細信息,
 詢價
Infineon Technologies
22+
SOT3636
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
Infineon Technologies
21+
SOT3636
13880
公司只售原裝,支持實單
 詢價
Infineon Technologies
24+
原裝
5000
原裝正品,提供BOM配單服務
 詢價
Infineon Technologies
2022+
PG-SOT363-6
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
 詢價
INFINEON
23+
PG-SOT363-6
8000
只做原裝現(xiàn)貨
 詢價
INFINEON
23+
PG-SOT363-6
7000
詢價
INFINEON/英飛凌
23+
SOT23-3
12500
全新原裝現(xiàn)貨熱賣,價格優(yōu)勢
 詢價

相近型號