PTFA043002E V1_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-射頻-英飛凌

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原廠料號(hào):PTFA043002E V1品牌:Infineon Technologies

資料說(shuō)明:IC FET RF LDMOS 300W H-30275-4

PTFA043002E V1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻。制造商INFINEON/英飛凌生產(chǎn)封裝2-扁平封裝,葉片引線的PTFA043002E V1晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號(hào):

    ptfa043002e%20v1

  • 規(guī)格書:

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱:

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱:

    英飛凌科技股份公司

  • 資料說(shuō)明:

    IC FET RF LDMOS 300W H-30275-4

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    PTFA043002E V1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    800MHz

  • 增益:

    16dB

  • 額定電流(安培):

    10μA

  • 功率 - 輸出:

    100W

  • 封裝/外殼:

    2-扁平封裝,葉片引線

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    H-30275-4

  • 描述:

    IC FET RF LDMOS 300W H-30275-4

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