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BLA9G1011LS-300G分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLA9G1011LS-300G
廠商型號

BLA9G1011LS-300G

參數屬性

BLA9G1011LS-300G 封裝/外殼為SOT-502E;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產品描述:RF MOSFET LDMOS 32V SOT502E

功能描述

Power LDMOS transistor
RF MOSFET LDMOS 32V SOT502E

封裝外殼

SOT-502E

文件大小

1.62922 Mbytes

頁面數量

14

生產廠商 Ampleon USA Inc.
企業(yè)簡稱

Ampleon安譜隆

中文名稱

安譜隆官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-1-23 11:10:00

BLA9G1011LS-300G規(guī)格書詳情

BLA9G1011LS-300G屬于分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產的BLA9G1011LS-300G晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

General description

300 W LDMOS power transistor for avionics applications at frequencies from 1030 MHz to

1090 MHz.

Features and benefits

? Easy power control

? Integrated dual sided ESD protection enables excellent off-state isolation

? Enhanced ruggedness

? High efficiency

? Excellent thermal stability

? Designed for broadband operation (1030 MHz to 1090 MHz)

? Internally matched for ease of use

? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

Applications

? Avionics transmitter applications in the 1030 MHz to 1090 MHz frequency range

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    BLA9G1011LS-300GU

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1.03GHz ~ 1.09GHz

  • 增益:

    21.8dB

  • 額定電流(安培):

    4.2μA

  • 功率 - 輸出:

    317W

  • 封裝/外殼:

    SOT-502E

  • 供應商器件封裝:

    CDFM2

  • 描述:

    RF MOSFET LDMOS 32V SOT502E

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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