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BLF6G10-200RN

Power LDMOS transistor

Generaldescription 200WLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto1000MHz. Features ■Typical2-carrierW-CDMAperformanceatfrequenciesof869MHzand894MHz,asupplyvoltageof28VandanIDqof1400mA: ◆Averageoutputpower=40W

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BLF6G10-200RN

RF Manual 16th edition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BLF6G10-200RN_15

Power LDMOS transistor

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BLF6G10-200RN,112

包裝：托盤 封裝/外殼：SOT-502A 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A

AmpleonAmpleon USA Inc.

安譜隆

BLC6G10-200

UHFpowerLDMOStransistor

Generaldescription 200WLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom800MHzto1000MHz. Features ■Typical2-carrierW-CDMAperformanceatfrequenciesof869MHzand894MHz,a supplyvoltageof28VandanIDqof1400mA: ◆Averageoutputpower=40W

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    BLF6G10-200RN

  • 功能描述：

    射頻MOSFET電源晶體管 Trans MOSFET N-CH 65V 49A 2-Pin

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Freescale Semiconductor

  • 配置：

    Single

  • 頻率：

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益：

    27 dB

  • 輸出功率：

    100 W

  • 封裝/箱體：

    NI-780-4

  • 封裝：

    Tray

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
NXP高頻管射頻功放管
SOD
3200
原裝長(zhǎng)期供貨!
 詢價(jià)
NXP
24+
SMD
1680
NXP專營(yíng)品牌進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢價(jià)
NXP高頻管射頻功放管
22+23+
SOD
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絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
 詢價(jià)
NXP高頻管射頻功放管
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SOD
100
原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
PHILIPPNES
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TO-59
8510
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì)
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NXP
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NXP/恩智浦
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NXP/恩智浦
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更多BLF6G10-200RN供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-2 17:01:00

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