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BLF6G10-200RN分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLF6G10-200RN
廠商型號

BLF6G10-200RN

參數(shù)屬性

BLF6G10-200RN 封裝/外殼為SOT-502A;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A

功能描述

RF Manual 16th edition

文件大小

9.37507 Mbytes

頁面數(shù)量

130

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-5 10:20:00

BLF6G10-200RN規(guī)格書詳情

General description

10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.

Features and benefits

■ High efficiency

■ Excellent ruggedness

■ Designed for broadband operation

■ Excellent thermal stability

■ High power gain

■ Integrated ESD protection

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

Applications

■ CDMA

■ W-CDMA

■ GSM EDGE

■ MC-GSM

■ LTE

■ WiMAX

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BLF6G10-200RN,112

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    871.5MHz ~ 891.5MHz

  • 增益:

    20dB

  • 額定電流(安培):

    49A

  • 功率 - 輸出:

    40W

  • 封裝/外殼:

    SOT-502A

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT502A

  • 描述:

    RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NXP高頻管射頻功放管
SOD
3200
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詢價(jià)
NXP
589220
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量
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NXP/恩智浦
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9000
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