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BLF6G10LS-135R

Power LDMOS transistor

Generaldescription 135WLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom800MHzto1000MHz. Features ■Typical2-carrierW-CDMAperformanceatfrequenciesof869MHzand894MHz,asupplyvoltageof28VandanIDqof950mA: ◆Averageoutputpower=26.5W

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

BLF6G10LS-135RN

Power LDMOS transistor

Generaldescription 135WLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto1000MHz. Features ■Typical2-carrierW-CDMAperformanceatfrequenciesof869MHzand894MHz,asupplyvoltageof28VandanIDqof950mA: ◆Averageoutputpower=26.5W

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

BLF6G10LS-135RN

RF Manual 16th edition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

BLF6G10LS-135RN,11

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼:SOT-502B 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B

AmpleonAmpleon USA Inc.

安譜隆

BLF6G10LS-135RN:11

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼:SOT-502B 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B

AmpleonAmpleon USA Inc.

安譜隆

詳細參數(shù)

  • 型號:

    BLF6G10LS-135R

  • 功能描述:

    射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS

  • RoHS:

  • 制造商:

    Freescale Semiconductor

  • 配置:

    Single

  • 頻率:

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益:

    27 dB

  • 輸出功率:

    100 W

  • 封裝/箱體:

    NI-780-4

  • 封裝:

    Tray

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更多BLF6G10LS-135R供應(yīng)商 更新時間2024-12-30 23:00:00