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BLF6G10LS-135RN分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLF6G10LS-135RN
廠商型號(hào)

BLF6G10LS-135RN

參數(shù)屬性

BLF6G10LS-135RN 封裝/外殼為SOT-502B;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B

功能描述

Power LDMOS transistor

封裝外殼

SOT-502B

文件大小

152.49 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-4 10:47:00

BLF6G10LS-135RN規(guī)格書詳情

General description

135 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 1000 MHz.

Features

■ Typical 2-carrier W-CDMA performance at frequencies of 869 MHz and 894 MHz, a supply voltage of 28 V and an IDq of 950 mA:

◆ Average output power = 26.5 W

◆ Power gain = 21.0 dB

◆ Efficiency = 28.0

◆ ACPR = ?39 dBc

■ Easy power control

■ Integrated ESD protection

■ Enhanced ruggedness

■ High efficiency

■ Excellent thermal stability

■ Designed for broadband operation (700 MHz to 1000 MHz)

■ Internally matched for ease of use

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding restriction of hazardous substances (RoHS)

Applications

■ RF power amplifiers for GSM, GSM EDGE, W-CDMA and CDMA base stations and multi carrier applications in the 700 MHz to 1000 MHz frequency range

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BLF6G10LS-135RN

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    871.5MHz ~ 891.5MHz

  • 增益:

    21dB

  • 額定電流(安培):

    32A

  • 功率 - 輸出:

    26.5W

  • 封裝/外殼:

    SOT-502B

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT502B

  • 描述:

    RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
NXP高頻管
22+23+
SMD
43098
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
詢價(jià)
NXP/恩智浦
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SOT502B
12500
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NXP高頻管
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NXP/恩智浦
23+
SOT502
6854
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NXP/恩智浦
22+
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9000
原裝正品
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NXP(恩智浦)
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NXP/恩智浦
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