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BLF888E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLF888E
廠商型號(hào)

BLF888E

參數(shù)屬性

BLF888E 封裝/外殼為SOT-539A;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 104V 17DB SOT539A

功能描述

UHF power LDMOS transistor
RF FET LDMOS 104V 17DB SOT539A

封裝外殼

SOT-539A

文件大小

1.40887 Mbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 Ampleon USA Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Ampleon安譜隆

中文名稱

安譜隆官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-12 23:00:00

BLF888E規(guī)格書詳情

BLF888E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLF888E晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

General description

A 750 W LDMOS RF power transistor for asymmetrical broadcast Doherty transmitter

applications which operates at 150 W DVB-T average power. The excellent ruggedness of

this device makes it ideal for digital and analog transmitter applications.

Features and benefits

? Designed for asymmetric Doherty operation

? Very high efficiency enabling air cooled high power transmitters

? Integrated ESD protection

? Excellent ruggedness

? High power gain

? Excellent reliability

? Easy power control

? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

Applications

? Broadcast transmitter applications in the UHF band

? Digital broadcasting

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BLF888EU

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙),共源

  • 頻率:

    600MHz ~ 700MHz

  • 增益:

    17dB

  • 功率 - 輸出:

    750W

  • 封裝/外殼:

    SOT-539A

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT539A

  • 描述:

    RF FET LDMOS 104V 17DB SOT539A

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
NXP/恩智浦
23+
NA/
3407
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票
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AMPLEON
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SOT539B
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原裝價(jià)優(yōu)助您成單
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NXP/恩智浦
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全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
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全新原裝,價(jià)格優(yōu)勢(shì),原廠原包
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