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BLF888A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLF888A
廠商型號(hào)

BLF888A

參數(shù)屬性

BLF888A 封裝/外殼為SOT-539B;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539B

功能描述

UHF power LDMOS transistor

文件大小

443.34 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

17 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-22 23:00:00

BLF888A規(guī)格書詳情

General description

A 600 W LDMOS RF power transistor for broadcast transmitter applications and industrial applications. The excellent ruggedness of this device makes it ideal for digital and analog transmitter applications.

Features and benefits

■ Excellent ruggedness (VSWR ≥ 40 : 1 through all phases)

■ Optimum thermal behavior and reliability, Rth(j-c) = 0.15 K/W

■ High power gain

■ High efficiency

■ Designed for broadband operation (470 MHz to 860 MHz)

■ Internal input matching for high gain and optimum broadband operation

■ Excellent reliability

■ Easy power control

■ Compliant to Restriction of Hazardous Substances (RoHS) Directive 2002/95/EC

Applications

■ Communication transmitter applications in the UHF band

■ Industrial applications in the UHF band

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BLF888AS,112

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙),共源

  • 頻率:

    860MHz

  • 增益:

    21dB

  • 功率 - 輸出:

    250W

  • 封裝/外殼:

    SOT-539B

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT539B

  • 描述:

    RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539B

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
NXP(恩智浦)
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
10733
全新原裝正品/價(jià)格優(yōu)惠/質(zhì)量保障
詢價(jià)
AMPLEON
23+
NA/
12
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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NXP
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NXP
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原裝現(xiàn)貨假一賠十
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NXP(恩智浦)
2021/2022+
N/A
6000
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢(shì)終端BOM表可配單提供樣品
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NXP
23+
封裝
7300
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詢價(jià)